SK실트론

활용 분야

SiC 웨이퍼와 SiC 에피텍셜 웨이퍼는 높은 효율을 바탕으로
고전압, 대전류, 고주파 환경에서 활용되며 에너지 손실을 줄일 수 있습니다.

• 

  운송
  Transportation

  하이브리드 자동차, 전기자동차,
  수소자동차 및 고속 전기철도 등
  친환경 운송 수단의 모터 구동
  인버터 시스템에 활용

• 

  산업
  Industrial

  산업용 전기제품 및 가전용
  전자기기용 전력변환부품에 활용

• 

  에너지
  Energy

  신재생 에너지 전력 계통에 사용되는
  전력변환시스템
  (태양광, 풍력 발전 등 스마트 그리드의
  전력변환 반도체 소자)에 활용

SiC Wafer Portfolio

n-type SiC Wafer 4H, 4° off-axis, n-type SiC 웨이퍼

고순도의 다결정 SiC 파우더로부터 승화, 결정성장, 절단, 연마, 세정 과정을 거쳐 제조된 웨이퍼로, 얇은 판 형태로 제조됩니다.
100mm & 150mm 직경으로 생산되며, 주로 Diode, MOSFET과 같은 고전력 모듈에 사용됩니다.

SiC Epitaxy (n-type / p-type) SiC 에피텍셜 웨이퍼 (n-type/p-type)

폴리시드 웨이퍼 위에 수 um 두께로 실리콘 카바이드 단결정층을 증착한 웨이퍼 입니다.
정밀한 두께, 도핑, 결점 제어를 통해 고효율 전력반도체 생산의 구성 요소로, 점차 그 수요가 늘어나고 있습니다.
에피엑셜 웨이퍼는 n-type과 p-type의 Sing-layer 혹은 Multi layer로 구성되어 있습니다.

SiC Prime 웨이퍼 등급

100mm, 150mm SiC 웨이퍼는 반도체 공정상 최적의 설계 범위, 성능, 비용을 만족할 수 있는 Prime급 웨이퍼를 제공합니다.
SiC 웨이퍼 기판은 품질에 따라 Prime Standard, Prime Select, Prime Ultra 세 등급으로 분류됩니다.

Prime Standard는 쇼트키(Schottky) 혹은 접합장벽 쇼트키 다이오드 (Junction Barrier Schottky diodes)와
같이 낮거나 중간 수준의 정격 전류를 가진 부품 설계시 이용 가능합니다.

- 100 mm : MPD (≤ 0.5 cm^-2), EPD (≤ 12,000 cm^-2), TED(≤ 9,000 cm^-2), TSD (≤ 1,000 cm^-2), BPD (≤ 2,000 cm^-2)

- 150 mm : MPD (≤ 1.0 cm^-2), EPD (≤ 15,000 cm^-2), TED(≤ 10,000 cm^-2), TSD (≤ 3,000 cm^-2), BPD (≤ 5,000 cm^-2)

Prime Select는 PIN 다이오드, 스위치 혹은 MOSFETs와 같이 보다 세밀한 SiC 소자에 적합합니다.

- 100 mm : MPD (≤ 0.2 cm^-2), EPD (≤ 10,000 cm^-2), TED(≤ 8,000 cm^-2), TSD (≤ 800 cm^-2), BPD (≤ 1,500 cm^-2)

- 150 mm : MPD (≤ 0.5 cm^-2), EPD (≤ 12,000 cm^-2), TED(≤ 9,000 cm^-2), TSD (≤ 500 cm^-2), BPD (≤ 4,000 cm^-2)

Prime Ultra는 가장 높은 품질 수준을 요하는 가장 최상급 고출력장비 설계에 이용할 수 있습니다.
금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFETs), 접합형 전기장 효과 트랜지스터(JFETs),
양극성 접합 트랜지스터 (BJTs) 등이 해당하며, 3.3kV 이상의 대전류 장비 설계에 사용할 수 있습니다.

- 100 mm : MPD (≤ 0.1 cm^-2), EPD (≤ 8,000 cm^-2), TED(≤ 6,000 cm^-2), TSD (≤ 500 cm^-2), BPD (≤ 1,000 cm^-2)

- 150 mm : MPD (≤ 0.3 cm^-2), EPD (≤ 9,000 cm^-2), TED(≤ 8,000 cm^-2), TSD (≤ 400 cm^-2), BPD (≤ 3,000 cm^-2)