SK siltron

应用领域

SiC 晶圆和SiC磊晶圆具有高效特点，
用于高电压、大电流、高频环境，可降低能量损耗。

• 

  运输
  Transportation

  驱动混合动力汽车、电动汽车、
  氢能汽车与高速电气化铁道等
  环保运输方式的发动机
  用于变频系统

• 

  工业
  Industrial

  工业用电气设备与家庭用
  电子设备专用功率转换配件

• 

  能源
  Energy

  使用可再生能源电力系统的
  功率转换系统
  （太阳能、风力发电等智能电网的
  功率转换半导体元件）

SiC Wafer Portfolio

n-type SiC Wafer 4H, 4° off-axis, n-type SiC Wafer

将高纯度多晶SiC粉末经过升华、晶体生长、切割、研磨、清洗等过程制造而成的晶圆，为薄片形态。
直径为100mm & 150mm，主要用于Diode、MOSFET等大功率模块。

SiC Epitaxy (n-type / p-type) SiC 磊晶圆 (n-type/p-type)

在抛光晶圆上采用真空蒸发的方式形成几um厚度的碳化硅单晶层。
对精密厚度、掺杂（Doping）、缺陷严格控制，是高效功率半导体生产的组成部分，需求量渐渐增加。
磊晶圆分为n-type与p-type的Sing-layer或Multi layer。

SiC Prime 晶圆等级

100mm, 150mm SiC晶圆是可以满足半导体工序中的最佳设计范围、性能、费用的高级晶圆。
SiC晶圆基片根据质量可分为Prime Standard、Prime Select、Prime Ultra三个等级。

Prime Standard可在设计肖特基二极管（Schottky）或肖特基势垒二极管（Junction Barrier Schottky diodes）
等较低或中间程度额定电流时使用。

- 100 mm : MPD (≤ 0.5 cm^-2), EPD (≤ 12,000 cm^-2), TED(≤ 9,000 cm^-2), TSD (≤ 1,000 cm^-2), BPD (≤ 2,000 cm^-2)

- 150 mm : MPD (≤ 1.0 cm^-2), EPD (≤ 15,000 cm^-2), TED(≤ 10,000 cm^-2), TSD (≤ 3,000 cm^-2), BPD (≤ 5,000 cm^-2)

Prime Select适合用于PIN二极管、开关或MOSFETs等比较精密的SIC元件。

- 100 mm : MPD (≤ 0.2 cm^-2), EPD (≤ 10,000 cm^-2), TED(≤ 8,000 cm^-2), TSD (≤ 800 cm^-2), BPD (≤ 1,500 cm^-2)

- 150 mm : MPD (≤ 0.5 cm^-2), EPD (≤ 12,000 cm^-2), TED(≤ 9,000 cm^-2), TSD (≤ 500 cm^-2), BPD (≤ 4,000 cm^-2)

Prime Ultra可在设计最高质量的最顶级大功率设备时使用。
如金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）、结型场效应晶体管（JFETs）、
双极性结型晶体管（BJTs)等，可用于3.3kV以上的大电流设备的设计。

- 100 mm : MPD (≤ 0.1 cm^-2), EPD (≤ 8,000 cm^-2), TED(≤ 6,000 cm^-2), TSD (≤ 500 cm^-2), BPD (≤ 1,000 cm^-2)

- 150 mm : MPD (≤ 0.3 cm^-2), EPD (≤ 9,000 cm^-2), TED(≤ 8,000 cm^-2), TSD (≤ 400 cm^-2), BPD (≤ 3,000 cm^-2)