SK siltron

1. 

   1 POLY SILICON
   STACKING

   将高纯度多晶硅填充到石英坩埚中的工序。

2. 2 INGOT
   GROWING

   在高温下熔化多晶硅并将其生长成单晶体的工序。

   
3. 

   3 INGOT GRINDING
   & CROPPING

   使铸锭表面变得光滑，并逐块切割的工序。

4. 4 WIRE
   SAWING

   将铸锭块切割成片状晶片的工序。

   
5. 

   5 EDGE
   GRINDING

   加工晶片边缘形状的工序。

6. 6 LAPPING

   使晶片表面平滑、平整制作的工序。

   
7. 

   7 ETCHING

   通过化学反应去除晶片表面上的加工损伤的工序。

8. 8 DOUBLE
   SIDE GRINDING

   去除晶片表面上的小弯曲的工序

   
9. 

   9 POLISHING

   通过精密加工消除晶片微弯曲的工序。

10. 10 CLEANING

    去除晶片表面杂质的工序。

    
11. 

    11 INSPECTION

    检查晶片形状和平整度等品质的工序。

12. 12 PARTICLE
    COUNTING

    检查晶片表面缺陷的工序。

    
13. 

    13 EPITAXIAL
    GROWING

    在晶片上蒸镀硅单晶层的工序。

14. 14 PACKING

    包装产品的工序，以保护产品免受冲击、灰尘和湿气的影响。

    

300mm Silicon Wafer Manufacturing Process

1. 1 POLY SILICON STACKING
2. 2 INGOT GROWING
3. 3 INGOT GRINDING &
   CROPPING
4. 4 WIRE SAWING
5. 5 EDGE GRINDING
6. 6 LAPPING
7. 7 ETCHING
8. 8 DOUBLE SIDE GRINDING
9. 9 POLISHING
10. 10 CLEANING
11. 11 INSPECTION
12. 12 PARTICLE COUNTING
13. 13 EPI GROWING
14. 14 PACKING