SK실트론

300mm Epitaxial Wafer

1 POLY SILICON
STACKING

고순도 다결정 실리콘을 석영도가니에 충진하는 공정
2 INGOT
GROWING

다결정 실리콘을 고온으로 녹인 뒤
단결정 실리콘 잉곳으로 성장시키는 공정
3 INGOT GRINDING
& CROPPING

잉곳의 표면을 매끄럽게 다듬은 뒤 블록 단위로 절단하는 공정
4 WIRE
SAWING

잉곳 블록을 낱장의 웨이퍼로 절단하는 공정
5 EDGE
GRINDING

웨이퍼의 가장자리 형상을 가공하는 공정
6 LAPPING

웨이퍼의 표면을 매끄럽게 다듬고 평탄하게 만드는 공정
7 ETCHING

웨이퍼 표면의 가공 데미지를 화학작용을 이용해 제거하는 공정
8 DOUBLE
SIDE GRINDING

웨이퍼 표면의 작은 굴곡을 제거하는 공정
9 POLISHING

정밀 가공을 통해 웨이퍼 미세 굴곡을 제거하는 공정
10 CLEANING

웨이퍼 표면의 불순물을 제거하는 공정
11 INSPECTION

웨이퍼의 형상과 평탄도 등의 품질을 검사하는 공정
12 PARTICLE
COUNTING

웨이퍼 표면의 결함을 검사하는 공정
13 EPITAXIAL
GROWING

웨이퍼 위에 실리콘 단결정층을 증착하는 공정
14 PACKING

충격, 먼지, 습기로 부터 보호하기위해 제품을 포장하는 공정