SK siltron

300mm Epitaxial Wafer

1 POLY SILICON
STACKING

将高纯度多晶硅填充到石英坩埚中的工序。
2 INGOT
GROWING

在高温下熔化多晶硅并将其生长成单晶体的工序。
3 INGOT GRINDING
& CROPPING

使铸锭表面变得光滑，并逐块切割的工序。
4 WIRE
SAWING

将铸锭块切割成片状晶片的工序。
5 EDGE
GRINDING

加工晶片边缘形状的工序。
6 LAPPING

使晶片表面平滑、平整制作的工序。
7 ETCHING

通过化学反应去除晶片表面上的加工损伤的工序。
8 DOUBLE
SIDE GRINDING

去除晶片表面上的小弯曲的工序
9 POLISHING

通过精密加工消除晶片微弯曲的工序。
10 CLEANING

去除晶片表面杂质的工序。
11 INSPECTION

检查晶片形状和平整度等品质的工序。
12 PARTICLE
COUNTING

检查晶片表面缺陷的工序。
13 EPITAXIAL
GROWING

在晶片上蒸镀硅单晶层的工序。
14 PACKING

包装产品的工序，以保护产品免受冲击、灰尘和湿气的影响。