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Charge weight
Poly Silicon을 Grower에 Charge하기 전 정확한 Weight인지 검사하는 것
Dopant weight
Manufacturing Specification에서 의도한 전기적인 특성을 부여하는 Dopant의 양을 정확히 투입하는지 검사하는 것
Growth parameter
Single Crystal을 성장시키는 Crystal Grower의 Growing Program에 Loading되는 Parameter가 등록된 프로그램과 일치하는지 확인하는 것
Crystal Length
성장한 Crystal중에서 웨이퍼로 사용이 가능한 Body부분의 길이를 측정하는 것
Crystal diameter
성장한 Crystal의 diameter를 측정하는 것
Slug thickness
품질을 평가하기 위해 채취되는 Slug의 두께가 규정된 Thickness에 부합하는지 확인하는 것
Resistivity / RRG
Crystal이 가지고 있는 비저항값과 비저항 구배를 측정하는 것
Oi / ORG
Crystal이 가지고 있는 Interstitial Oxygen의 농도와 구배를 측정하는 것
OiSF
Crystal Growing공정 중 발생한 결정 결함을 일정 조건의 열처리를 거친 후에 Visual Inspection을 통해 확인하는 것
EPD
Crystal Growing공정 중 발생한 Dislocation 존재 유무를 확인하는 것으로서 일정 조건의 Etching후에 확인
Flat depth
Grinding공정 중 가공된 Flat의 Depth를 측정, 확인하는 것
Flat orientation
Single Crystal의 방향성을 이용하여 Chip의 절단성을 용이하게 하기 위해 웨이퍼의 방향성을 표시하도록 Flat가공을 한다. 이 때 가공된 Flat의 방향이 올바르게 되었는지 확인하는 것
Notch depth
Flat과 동일한 역할을 하나, Device의 수율을 높이기 위해 Flat 대신에 "V"자형 홈 가공을 하게 된다.
이것을 Notch라 하는데 이 깊이를 확인하는 것
Ingot orientation
단결정의 결정방향이 <100>인지, <111>인지 확인하는 것