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XPS
X-ray Photoelectron Spectroscopy. X선이나 자외선에 의해 여기된 전자의 에너지 양을 측정하여 재료의 조성과 불순물의 분석, Sputtering을 통해 깊이 방향 분포 분석, 화학 결합 상태를 알 수 있다.
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X-ray Photoelectron Spectroscopy
XPS. X선이나 자외선에 의해 여기된 전자의 에너지 양을 측정하여 재료의 조성과 불순물의 분석, Sputtering을 통해 깊이 방향 분포 분석, 화학 결합 상태를 알 수 있다.
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XRF
X-ray Fluorescent Analyzer. Incident X-ray를 미지의 시료에 조사하여 시료내의 원소들이 방출하는 형광 X-ray의 Intensity를 측정함으로써 구성 원소들의 농도나 두께 등을 측정하는 장비
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Buried layer
에피층을 키우기 직전에 P형 기관에 N+ 확산을 하는 것. 소자전류 경로에 저저항을 제공한다. 보통의 매몰층 도펀트는 안티몬이나 비소이다.
Diode
전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 하는 두 단자 소자. 다이오드는 반도체의 P형과 N형 지역의 교점에서 생긴다.
Silicon Nitride(Si₃N₄)
600℃-900℃의 온도에서 웨이퍼에 화학적으로 적층되는 보호막. 이는 소자를 오염으로부터 보호한다.
Reactor
반도체 공정에 쓰이는 물질을 적층하는 장치. 보통 에피 반응기. Vapox 반응기. 질화막 반응기가 있다.
CCD
Charge Coupled Device. 전극의 전압을 조절해서 전하를 다른 전극으로 움직일 수 있는 표면 위의 절연 전극에 의한 반도체내 전하의 저장에 의해 동작하는 반도체 소자.
