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Wafer
집적 회로를 만들기 위해 반도체 물질의 단결점을 성장시킨 기둥모양의 Ingot를 얇게 잘라서 원판모양으로 만든 것을 말한다.
Wafer Fab
웨이퍼 위 혹은 안에 회로나 소자가 만들어지는 조작.
Wafer Sort
집적 회로가 동작하는지를 보는 테스트 스텝. 프로브(Probe)를 회로의 패드에 대고, 전기 신호를 걸어 올바른 것이 나오는가를 봄으로써 측정한다.
Wafer Etch
반도체 제조공정에 있어 Wafer의 어떠한 표면층을 식각하고자 할 때 화공 약품(액체, 기체)를 이용하여 식각하는 방법.
Wire Bonding
Chip상의 Bonding Pad와 L/F의 Inner lead tip을 금세선 (혹은 알루미늄세선)으로 접합시켜주는 과정. Thermo Compression Bonding(열압착 Bonding), Thermosonic Bonding(저온열압착 Bonding), Ultrasonic Bonding(초음파 Bonding)등의 방법이 있고 세선의 굵기는 25㎛-50㎛정도. Capillary(Au ball Bonding), Wedge(Al Wedge Bonding) 등의 Tool을 사용한다.
Blade
dicing에서 사용하는 도구로 Ni 원판에 diamond grit가 박혀있다. scribe lane의 폭에 따라 blade의 굵기가 달라진다.(= diamond wheel)
Boron Trichloride
실리콘 도핑에서 Boron의 원료로 쓰이는 가스.
LED
light emitting diode. 소수 반송자가 정공과 결합하여 에너지가 빛으로 바뀌는 반도체 소자. 보통 PN접합이다.
Positive Resist, 양성 PR
빛을 안받은 부분은 남기고, 빛을 받은 부분은 형상에서 제거되는 PR. 마스크의 양화가 현상 공정에서 형성된다. AZ-1350이 양성 PR이다.
Epi
= Epitaxial