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Wafer
집적 회로를 만들기 위해 반도체 물질의 단결점을 성장시킨 기둥모양의 Ingot를 얇게 잘라서 원판모양으로 만든 것을 말한다.
Wafer Fab
웨이퍼 위 혹은 안에 회로나 소자가 만들어지는 조작.
Wafer Sort
집적 회로가 동작하는지를 보는 테스트 스텝. 프로브(Probe)를 회로의 패드에 대고, 전기 신호를 걸어 올바른 것이 나오는가를 봄으로써 측정한다.
Wafer Etch
반도체 제조공정에 있어 Wafer의 어떠한 표면층을 식각하고자 할 때 화공 약품(액체, 기체)를 이용하여 식각하는 방법.
Wire Bonding
Chip상의 Bonding Pad와 L/F의 Inner lead tip을 금세선 (혹은 알루미늄세선)으로 접합시켜주는 과정. Thermo Compression Bonding(열압착 Bonding), Thermosonic Bonding(저온열압착 Bonding), Ultrasonic Bonding(초음파 Bonding)등의 방법이 있고 세선의 굵기는 25㎛-50㎛정도. Capillary(Au ball Bonding), Wedge(Al Wedge Bonding) 등의 Tool을 사용한다.
Aluminum/Al
반도체 소자에서 칩의 각 소자를 연결하는데 가장 많이 쓰이는 금속. 보통 증착으로 적층된다.
Dielectric
전압이 걸렸을 때 전류를 흘리지 않는 물질. 반도체 공정에 쓰이는 두 가지 유전체는 실리콘산화막과 실리콘 질화막이다.
PVX(Doped Silox)
화학적으로 적층된 인이 많은 실리콘 산화막.
Junction depth
웨이퍼 아래쪽으로의 접합 깊이.
Hybrid Integrated Circuits
세라믹 등의 기판에 하나 이상의 반도체 소자를 집적해 조립한 구조.