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Wafer
집적 회로를 만들기 위해 반도체 물질의 단결점을 성장시킨 기둥모양의 Ingot를 얇게 잘라서 원판모양으로 만든 것을 말한다.
Wafer Fab
웨이퍼 위 혹은 안에 회로나 소자가 만들어지는 조작.
Wafer Sort
집적 회로가 동작하는지를 보는 테스트 스텝. 프로브(Probe)를 회로의 패드에 대고, 전기 신호를 걸어 올바른 것이 나오는가를 봄으로써 측정한다.
Wafer Etch
반도체 제조공정에 있어 Wafer의 어떠한 표면층을 식각하고자 할 때 화공 약품(액체, 기체)를 이용하여 식각하는 방법.
Wire Bonding
Chip상의 Bonding Pad와 L/F의 Inner lead tip을 금세선 (혹은 알루미늄세선)으로 접합시켜주는 과정. Thermo Compression Bonding(열압착 Bonding), Thermosonic Bonding(저온열압착 Bonding), Ultrasonic Bonding(초음파 Bonding)등의 방법이 있고 세선의 굵기는 25㎛-50㎛정도. Capillary(Au ball Bonding), Wedge(Al Wedge Bonding) 등의 Tool을 사용한다.
Ingot
용융상태에서 고형화된 실리콘 단결정 막대.
Bwam lead
반도체 칩 가장자리 바깥의 보통 금으로 만든 적층 금속리드. 칩의 기계적, 전기적 콘텍트를 형성하는 데 쓰인다.
Boron Trichloride
실리콘 도핑에서 Boron의 원료로 쓰이는 가스.
Photo Resist
감광성 수지를 말하며 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라양성과 음성으로 나눈다. 양성인 경우는 Sensitizer에 의하여 특징 지워지며 음성인 경우는Polymer에 의해서 특징 지워진다. 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇 고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외선 등에 대해 감도가 좋아야 한다.
SOJ
Small Out-Line J-Bent Package