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Wafer
집적 회로를 만들기 위해 반도체 물질의 단결점을 성장시킨 기둥모양의 Ingot를 얇게 잘라서 원판모양으로 만든 것을 말한다.
Wafer Fab
웨이퍼 위 혹은 안에 회로나 소자가 만들어지는 조작.
Wafer Sort
집적 회로가 동작하는지를 보는 테스트 스텝. 프로브(Probe)를 회로의 패드에 대고, 전기 신호를 걸어 올바른 것이 나오는가를 봄으로써 측정한다.
Wafer Etch
반도체 제조공정에 있어 Wafer의 어떠한 표면층을 식각하고자 할 때 화공 약품(액체, 기체)를 이용하여 식각하는 방법.
Wire Bonding
Chip상의 Bonding Pad와 L/F의 Inner lead tip을 금세선 (혹은 알루미늄세선)으로 접합시켜주는 과정. Thermo Compression Bonding(열압착 Bonding), Thermosonic Bonding(저온열압착 Bonding), Ultrasonic Bonding(초음파 Bonding)등의 방법이 있고 세선의 굵기는 25㎛-50㎛정도. Capillary(Au ball Bonding), Wedge(Al Wedge Bonding) 등의 Tool을 사용한다.
Filament
증착 할 재료 옆에 있으면서 전기로 가열되는 코일.
MOS
Metal Oxide Semiconductor의 약어이며 실리콘 기판 위에 산화막을 형성시키고 그 위에 실리콘 전극을 형성하여 전장에 의한 실리콘 표면의 전하를 조절할 수 있는 구조.
Bwam lead
반도체 칩 가장자리 바깥의 보통 금으로 만든 적층 금속리드. 칩의 기계적, 전기적 콘텍트를 형성하는 데 쓰인다.
Phosphorus(P)
표준 바이폴라 IC기술에서 보통 에미터 확산에 쓰이는 N형 도펀트.
Access
메모리 device에 data를 저장하거나, 저장된 data를 읽어내기 위하여 device의 외부에서 미리 약속된 방식으로 signal을 가하여 메모리의 특정 번지를 찾아가는 행위.