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Wafer
집적 회로를 만들기 위해 반도체 물질의 단결점을 성장시킨 기둥모양의 Ingot를 얇게 잘라서 원판모양으로 만든 것을 말한다.
Wafer Fab
웨이퍼 위 혹은 안에 회로나 소자가 만들어지는 조작.
Wafer Sort
집적 회로가 동작하는지를 보는 테스트 스텝. 프로브(Probe)를 회로의 패드에 대고, 전기 신호를 걸어 올바른 것이 나오는가를 봄으로써 측정한다.
Wafer Etch
반도체 제조공정에 있어 Wafer의 어떠한 표면층을 식각하고자 할 때 화공 약품(액체, 기체)를 이용하여 식각하는 방법.
Wire Bonding
Chip상의 Bonding Pad와 L/F의 Inner lead tip을 금세선 (혹은 알루미늄세선)으로 접합시켜주는 과정. Thermo Compression Bonding(열압착 Bonding), Thermosonic Bonding(저온열압착 Bonding), Ultrasonic Bonding(초음파 Bonding)등의 방법이 있고 세선의 굵기는 25㎛-50㎛정도. Capillary(Au ball Bonding), Wedge(Al Wedge Bonding) 등의 Tool을 사용한다.
Thermal Oxide
실리콘 반도체 공정에서 실리콘을 고온에서 산소에 노출시켜 형성한 산화막. 그 접면은 이온불순물이나 결함(표면준위)이 없다.
Minority Carrier
P영역의 전자 등 반도체의 비주류 이동성 전하 운반체.
Junction
물질의 전도 형태가 N형에서 P형 형태로 혹은 그 반대로 바뀌는 접면.
Overlay
하부와 상부 Mask층들 사이의 정렬상태.
Emitter
1. 반송자의 원천이나 끝이 되는 트랜지스터의 지역. 2. NPN 트랜지스터의 에미터, PNP트랜지스터의 베이스 콘택트,NPN 트랜지스터의 N+ 콘택트 및 저항을 형성하는 인을 쓴 N+ 확산.