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TCE(Trichloro ethylene)
웨이퍼와 일반 세척에 쓰이는 용제.
Thermal Oxide
실리콘 반도체 공정에서 실리콘을 고온에서 산소에 노출시켜 형성한 산화막. 그 접면은 이온불순물이나 결함(표면준위)이 없다.
Thermocouple
반응기로의 온도를 재는 장치. 두 종류의 선을 한 점에 용융시켜 만든다. 열은 두 물질 사이의 온도차에 비례하는 전압을 일으킨다.
Thin-Film Integrated Circuit
유리 세라믹 기판위에 탄탈이나 다른 물질로 패턴을 형성한 회로.실리콘 IC보다 크다. "FIC"라고도한다.
Transistor
증폭작용을 위해 전하 반송자의 흐름을 사용하는 반도체 소자. 그 이름은 "Transfer  Resistor" 라는 전기적 특성에서 왔다. 전자관과 비교해서 트랜지스터는 수명이 길고, 효율이 크고, 신뢰도와 집적도가 높다는 장점이 있다.
Trim
Outer Lead와 Lead 사이를 연결하고 있는 Dam Bar(Outer Lead의 지지 및 Mold시 Die Clamp 부분으로 사용)를 잘라주는 과정. Dejunk(junk를 제거. Junk는 Body외곽과 Dam Bar, Outer Lead 에 둘러싸인 Resin)도 이때 실시한다.
TSOP
Thin Small Out-Line Package
Tube
Wafer에 불순물이 들어가는 것을 막기 위해서 전기로의 가열 코일과 Wafer 사이에 장착되어 있는 원통 모양의 Quartz제품을 말한다.
Tweezer
웨이퍼를 잡는데 사용하는 도구이다.
Base
1. NPN 혹은 PNP 트랜지스터의 컨트롤 부분 2. NPN 트랜지스터의 베이스나 수평 PNP 트랜지스터의 에미터 및 콜렉터, 저항 등을 형성하는 보론을 쓰는 P형 확산
FET
Field-effect Transistor. 다수 반송자가 게이트를 거쳐 소스에서 드레인으로 흐르는 소스. 게이트, 드레인으로 구성된 트랜지스터. 반송자의 흐름은 밑의 수직 전장으로 조절된다.
Planar Structure
단일 평면에서 접합과 확산, 그리고 산화막 마스킹으로 만드는 평면 소자구조. 구조의 평면성은 PR공정에 유리하다.
Mold
Epoxy molding compound를 이용하여 Chip. Paddle. Wire. Inner lead 부분을 보호하기 위해 일정한 형태로 주위를 둘러싸는 과정. 일정한 형태를 음각한 금형(MOLD DIE)에 L/F을 장착하고 어느 정도의 점도를 가진 compound를 채워넣어 경화시키는 방법이 주류이다. (=Trabsfer Mold)
Quartz
실리콘 산화물의 다른 이름. 높은 내열성 때문에 수정은 집적회로 공정에 많이 쓰인다.