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TCE(Trichloro ethylene)
웨이퍼와 일반 세척에 쓰이는 용제.
Thermal Oxide
실리콘 반도체 공정에서 실리콘을 고온에서 산소에 노출시켜 형성한 산화막. 그 접면은 이온불순물이나 결함(표면준위)이 없다.
Thermocouple
반응기로의 온도를 재는 장치. 두 종류의 선을 한 점에 용융시켜 만든다. 열은 두 물질 사이의 온도차에 비례하는 전압을 일으킨다.
Thin-Film Integrated Circuit
유리 세라믹 기판위에 탄탈이나 다른 물질로 패턴을 형성한 회로.실리콘 IC보다 크다. "FIC"라고도한다.
Transistor
증폭작용을 위해 전하 반송자의 흐름을 사용하는 반도체 소자. 그 이름은 "Transfer  Resistor" 라는 전기적 특성에서 왔다. 전자관과 비교해서 트랜지스터는 수명이 길고, 효율이 크고, 신뢰도와 집적도가 높다는 장점이 있다.
Trim
Outer Lead와 Lead 사이를 연결하고 있는 Dam Bar(Outer Lead의 지지 및 Mold시 Die Clamp 부분으로 사용)를 잘라주는 과정. Dejunk(junk를 제거. Junk는 Body외곽과 Dam Bar, Outer Lead 에 둘러싸인 Resin)도 이때 실시한다.
TSOP
Thin Small Out-Line Package
Tube
Wafer에 불순물이 들어가는 것을 막기 위해서 전기로의 가열 코일과 Wafer 사이에 장착되어 있는 원통 모양의 Quartz제품을 말한다.
Tweezer
웨이퍼를 잡는데 사용하는 도구이다.
Doping
반도체의 전도 형태를 바꿔 주기 위해 P형 또는 N형의 불순물을 확산이나 Ion Implantation에 의해서 주입하는 것을 말하며, 이때 주입되는 불순물을 Dopant라고 한다.
Dose
ion implantation 등 충격에 의해서 반도체의 불순물을 주입하는 것을 dose라고 하며, 그 주입량을 dose량이라고 한다.
Negative Resist
빛을 쬔 지역은 남아있고 빛이 안 쪼인 지역이 현상 공정에서 제거되는 PR. 현상 공정에 따라 마스크의 음화가 형성된다.Waycoat와 Microneg가 음성PR이다.
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
MICRON
길이의 단위. 1마이크론은 백만분의 일미터.