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TCE(Trichloro ethylene)
웨이퍼와 일반 세척에 쓰이는 용제.
Thermal Oxide
실리콘 반도체 공정에서 실리콘을 고온에서 산소에 노출시켜 형성한 산화막. 그 접면은 이온불순물이나 결함(표면준위)이 없다.
Thermocouple
반응기로의 온도를 재는 장치. 두 종류의 선을 한 점에 용융시켜 만든다. 열은 두 물질 사이의 온도차에 비례하는 전압을 일으킨다.
Thin-Film Integrated Circuit
유리 세라믹 기판위에 탄탈이나 다른 물질로 패턴을 형성한 회로.실리콘 IC보다 크다. "FIC"라고도한다.
Transistor
증폭작용을 위해 전하 반송자의 흐름을 사용하는 반도체 소자. 그 이름은 "Transfer  Resistor" 라는 전기적 특성에서 왔다. 전자관과 비교해서 트랜지스터는 수명이 길고, 효율이 크고, 신뢰도와 집적도가 높다는 장점이 있다.
Trim
Outer Lead와 Lead 사이를 연결하고 있는 Dam Bar(Outer Lead의 지지 및 Mold시 Die Clamp 부분으로 사용)를 잘라주는 과정. Dejunk(junk를 제거. Junk는 Body외곽과 Dam Bar, Outer Lead 에 둘러싸인 Resin)도 이때 실시한다.
TSOP
Thin Small Out-Line Package
Tube
Wafer에 불순물이 들어가는 것을 막기 위해서 전기로의 가열 코일과 Wafer 사이에 장착되어 있는 원통 모양의 Quartz제품을 말한다.
Tweezer
웨이퍼를 잡는데 사용하는 도구이다.
Phosphine(PH₃)
실리콘을 인으로 도핑할 때 원료로 쓰이는 가스.
X-ray Photoelectron Spectroscopy
XPS. X선이나 자외선에 의해 여기된 전자의 에너지 양을 측정하여 재료의 조성과 불순물의 분석, Sputtering을 통해 깊이 방향 분포 분석, 화학 결합 상태를 알 수 있다.
MOS
Metal Oxide Semiconductor의 약어이며 실리콘 기판 위에 산화막을 형성시키고 그 위에 실리콘 전극을 형성하여 전장에 의한 실리콘 표면의 전하를 조절할 수 있는 구조.
CCD
Charge Coupled Device. 전극의 전압을 조절해서 전하를 다른 전극으로 움직일 수 있는 표면 위의 절연 전극에 의한 반도체내 전하의 저장에 의해 동작하는 반도체 소자.
Positive Resist, 양성 PR
빛을 안받은 부분은 남기고, 빛을 받은 부분은 형상에서 제거되는 PR. 마스크의 양화가 현상 공정에서 형성된다. AZ-1350이 양성 PR이다.