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SAM
Serial Access Memory의 약어이며 Video RAM 내부회로의 일부로서 Data 출력시 Serial로 출력이 가능토록 해주는 회로.
Schottky Barrier
어떤 물질과 반도체 사이에 형성된 전위장벽. P/N접합 정류기의 전하 주입으로 인한 속도 감소 요소를 제외한 정류기로서의 높고 두꺼운 장벽을 가리킨다.
Scribe Lane
Chip과 Chip 사이에 형성된 일정한 간격의 분리를 위한 Lane.
Semiconductor
전도는 정공과 전자에 의해 이루어지며, 전도도로는 도체와 절연체의 중간인, 실리콘이나 게르마늄 등의 원소.
Sheet Resistance
반도체의 P형 또는 N형 도펀트의 수를 말하는, Ω/cm² 단위의 수.
STC(Silicon Integrated Circuit)
트랜지스터, 다이오드, 저항 및 캐패시터가 실리콘에 형성되고 배선되는 집적회로.
Silicon Dioxide(SiO₂)
Dicing하는 과정에서 Scribe Lane을 Brade(Dicing에 사용하는 Diamond Wheel)가 고속회전하며 잘라줄 때 발생하는 Wafer가루. 완전 제거되지 않으면 Bonding Pad에 잔존하여 Wire Bonding에 영향을 주게 된다.
Silicon Dust
웨이퍼에 칠해서 마스크를 통해 강도 높은 빛에 노출시키는 감광막. 노출된 PR은 어떤 지역을 에치하도록 PR패턴을 현상공정에서 남긴다.
Silicon Nitride(Si₃N₄)
600℃-900℃의 온도에서 웨이퍼에 화학적으로 적층되는 보호막. 이는 소자를 오염으로부터 보호한다.
Silicon Tetrachloride(SiCl₄)
수소와 반응해서 실리콘 및 염화수소가스를 내는 가스. 에피 실리콘을 적층하는데도 쓰인다.
Slug
= Buried Layer
SMD(Surface Mount Device)
PCB에 장착할 때 PKG의 Lead가 PCB표면에 얹혀진 형태로 실장되는 소자. PKG TYPE과 관련이 있으며 SOP류(Sop, SSOP, TSOP, TSSOP 등), SOJ,QFP류(QFP, TQFT등), PLCC, 기타 TYPE 이있다. (ref)PIN 삽입형 소자.
Smock(방진복)
청정실내에서 입는 작업복을 말하며 먼지가 나지 않으며 내부의 먼지도 밖으로 나오지 않는다.
SOJ
Small Out-Line J-Bent Package
Solid State
기체 및 액체와 함께 물질의 상태의 하나.
Solid State Electronic
전자관 기술에 상대되는 말로서, 반도체, 자화철, 막 등의 고체물질로 만든 소자나 회로를 일컫는 말.
Source
게이트 및 드레인과 함께 FET나 유니폴라의 세지역의 하나.
Sputtering
(Physical Vapor Deposition) CVD에 대비해서 쓰는 말로 박막을 증착하는 방법 중 Sputtering등의 물리적 증착법을 이용하는 기술의 총칭.
SRAM
가스(산화나 질소)를 98 ~100℃의 물에 버블시켜 키우는 열 산화막.
Steam Oxide
사진 노광 장치의 일종으로 Reticle의 Pattern을 광학 렌즈를 이용 Wafer위에 축소 노광하여 전사하는 방식을 이용한다.
Subcollector
= Buried Layer
Substrate
위에 소자. 회로 및 에피층이 만들어지는 원판.
Sulfuric Acid(H₂SO₄)
실리콘 웨이퍼를 세척하고 PR을 제거하는 강산.
Surface State
결정의 불완전이나 오염으로 반도체 표면에 생겨서 시간에 따라 나쁘게 변하는 과잉도너, 액셉터 및 트랩.
Susceptor
에피 성장이나 질화막 적층 등의 고온 공정 때 웨이퍼를 고정하는 납작한 물질(보통 흑연).
Sweeping
Wire Bonding된 상태에서 Bonding Pad와 Lead tip의 직선 거리에서 Wire가 휘어진 정도.
MCM
인접한 지역의 위에서 투사하여 원표면의 평면 부분만 남기는 선택적 에치로 만든 소자구조. 메자 기술은 전기적 활성 물질이 메자 지역으로 확장되는 것을 막는데 쓰인다.
Ingot
용융상태에서 고형화된 실리콘 단결정 막대.
LPCVD
저압(0.2~0.7mm Tott)의 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학 반응을 이용 박막을 증착하는 방법이다. low pressure CVD.
Anneal
웨이퍼의 응력을 풀어 소자에의 표면 영향이 줄도록 마지막으로 하는 고온처리.
Cum. yield
Fab In에서 제품 출하까지 4그룹(Fab, Probe, Package, Test) Yield를 합산한 수율.