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Reactor
반도체 공정에 쓰이는 물질을 적층하는 장치. 보통 에피 반응기. Vapox 반응기. 질화막 반응기가 있다.
Furnace
확산/산화막 성장 공정을 수행할 전기로를 말한다.
Evaporation
열을 써서 소스의 물질을 증착시켜 웨이퍼에 적층하는 공정. 반도체 공정에서는 E-빔이나 필라멘트 증착을 쓰는 것이 보통이다.
Coating
웨이퍼 위에 감광제를 도포하는 것.
Drain
소스, 게이트와 함께 유니폴라트랜지스터나 전계 효과 트랜지스터(FET)를 구성하는 한 지역.
APCVD
상압의 반응 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학 반응을 이용, 박막을 증착하는 방법이다.