E-Pro Link E-Sales Link

HOME > 제품소개 > 전문용어사전

| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
Packing
제품의 포장 관련 작업공정.
Pad
Lead Frame과 wire를 연결할 수 있도록 소자 내에 금속의 넓은 공간을 말한다.
Paddle
Chip이 얹혀지는 L/F의 부분. Chip Size에 따라 Paddle Size가 결정된다.
Passivation
화학작용이나 부식으로 전기적으로 퇴화하는 것을 막는 처리. 보통 보호는 습기나 오염을 막는다. 산화층이나 질화층이 쓰인다.
Phosphine(PH₃)
실리콘을 인으로 도핑할 때 원료로 쓰이는 가스.
Phosphorus(P)
표준 바이폴라 IC기술에서 보통 에미터 확산에 쓰이는 N형 도펀트.
Phosphorus Oxychloride(POCI₃)
실리콘을 인으로 도핑할 때 원료로 쓰이는 액체.
Photo Resist
감광성 수지를 말하며 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라양성과 음성으로 나눈다. 양성인 경우는 Sensitizer에 의하여 특징 지워지며 음성인 경우는Polymer에 의해서 특징 지워진다. 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇 고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외선 등에 대해 감도가 좋아야 한다.
Photoresist, PR
웨이퍼에 칠해서 마스크를 통해 강도 높은 빛에 노출시키는 감광막. 노출된 PR은 어떤 지역을 에치하도록 PR패턴을 현상공정에서 남긴다.
Planar Structure
단일 평면에서 접합과 확산, 그리고 산화막 마스킹으로 만드는 평면 소자구조. 구조의 평면성은 PR공정에 유리하다.
PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier
P/N Junction, P/N접합
결정내에서 주로 정공으로 전도하는 P지역과 주로 전자로 전도하는 N지역과의 접면.
PNP
보통 바이폴라 트랜지스터에 쓰이는, 두개의 P지역에 N영역이 끼어있는 반도체결정구조.
Positive Resist, 양성 PR
빛을 안받은 부분은 남기고, 빛을 받은 부분은 형상에서 제거되는 PR. 마스크의 양화가 현상 공정에서 형성된다. AZ-1350이 양성 PR이다.
Polycrystalline Silicon(Poly)
많은 결정으로 구성된 실리콘. 결정 실리콘은 원래 다결정 실리콘으로 만든다. 폴리는 에피를 너무 빨리 너무 저온으로 적층하면 만들어지고(의도적이건 우연이건), 산화층이 적층해도 만들어 진다.
Predeposition(Predep)
정해진 양의 도펀트가 반도체 결정에 들어가는 공정.
Probe test
검사에서 제조된 WAFER의 전기적 특성 및 동작 상태를 검사하여 양품과 불량품을 분류하고 불량품에 대해 Repair가능 여부를 판단, 필요 시 전기적 방법이나 LASER로 Repair하는 WAFER TEST공정.=EDS(Electrical Die Sorting 전기적 소자 분류.
P-TYPE
다수 반송자가 정공이어서 양성인 반도체물질. 실리콘에서의 P-형 도펀트는 4번째 외곽 전자가 없어서 양으로 하전된 정공으로 전도하는 3-A족 원소가 된다.
PVX(Doped Silox)
화학적으로 적층된 인이 많은 실리콘 산화막.
Phosphine(PH₃)
실리콘을 인으로 도핑할 때 원료로 쓰이는 가스.
MOSFET
실리콘 위의 얇은 산화막 위의 금속 게이트를 가진 전계효과 트랜지스터.
Inspection
웨이퍼의 이상 유무를 현미경이나 육안으로 검사하는 공정.
Carrier
반도체 물질 내에서 전기정보를 전달하는 매체인 전자와 전공을 말한다.
Junction depth
웨이퍼 아래쪽으로의 접합 깊이.