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Majority carrier
반도체 물질에서 주가 되는 이동성 전하 운반체(전자 혹은 정공). 예를들어 N영역의 전자.
Marking
ink 또는 laser를 이용하여 제품의 상면에 제품형명, 작업주 및 관리 코드 등을 인쇄하는 공정.
Mask
포토마스킹 공정에 쓰이는 Pattern Array가 입혀진 유리판. 각 패턴은 빛을 막는 불투명지역과 통과시키는 투명지역이 있다. 마스크는 실리콘웨이퍼에 있는 패턴과  얼라인 되어서 실리콘 산화막이나 금속을 에치하기 전에 PR을 노출시킨다. 마스크는 이멀션, 크롬, 산화철, 실리콘 혹은 다른 물질로 만든다.
MCM
인접한 지역의 위에서 투사하여 원표면의 평면 부분만 남기는 선택적 에치로 만든 소자구조. 메자 기술은 전기적 활성 물질이 메자 지역으로 확장되는 것을 막는데 쓰인다.
MESA
인접한 지역의 위에서 투사하여 원표면의 평면 부분만 남기는 선택적 에치로 만든 소자구조. 메자 기술은 전기적 활성 물질이 메자 지역으로 확장되는 것을 막는데 쓰인다.
MICRON
길이의 단위. 1마이크론은 백만분의 일미터.
Mil
1/1000inch. 25.4m 길이의 단위.
Minority Carrier
P영역의 전자 등 반도체의 비주류 이동성 전하 운반체.
Module
기억 용량의 증가를 위해 일정용량의 기억소자를 PCB상에 조합한 제품.
Mold
Epoxy molding compound를 이용하여 Chip. Paddle. Wire. Inner lead 부분을 보호하기 위해 일정한 형태로 주위를 둘러싸는 과정. 일정한 형태를 음각한 금형(MOLD DIE)에 L/F을 장착하고 어느 정도의 점도를 가진 compound를 채워넣어 경화시키는 방법이 주류이다.
MOS
Metal Oxide Semiconductor의 약어이며 실리콘 기판 위에 산화막을 형성시키고 그 위에 실리콘 전극을 형성하여 전장에 의한 실리콘 표면의 전하를 조절할 수 있는 구조.
MOSFET
실리콘 위의 얇은 산화막 위의 금속 게이트를 가진 전계효과 트랜지스터.
Aluminum/Al
반도체 소자에서 칩의 각 소자를 연결하는데 가장 많이 쓰이는 금속. 보통 증착으로 적층된다.
Dopants
전자나 정공을 제공함으로써 반도체의 전도 형태를 바꾸는 원소. 실리콘의 Dopant는 3족과 5족에 있는 원소이다.
Carrier
반도체 물질 내에서 전기정보를 전달하는 매체인 전자와 전공을 말한다.
Photoresist, PR
웨이퍼에 칠해서 마스크를 통해 강도 높은 빛에 노출시키는 감광막. 노출된 PR은 어떤 지역을 에치하도록 PR패턴을 현상공정에서 남긴다.
Silicon Dioxide(SiO₂)
Dicing하는 과정에서 Scribe Lane을 Brade(Dicing에 사용하는 Diamond Wheel)가 고속회전하며 잘라줄 때 발생하는 Wafer가루. 완전 제거되지 않으면 Bonding Pad에 잔존하여 Wire Bonding에 영향을 주게 된다.