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Majority carrier
반도체 물질에서 주가 되는 이동성 전하 운반체(전자 혹은 정공). 예를들어 N영역의 전자.
Marking
ink 또는 laser를 이용하여 제품의 상면에 제품형명, 작업주 및 관리 코드 등을 인쇄하는 공정.
Mask
포토마스킹 공정에 쓰이는 Pattern Array가 입혀진 유리판. 각 패턴은 빛을 막는 불투명지역과 통과시키는 투명지역이 있다. 마스크는 실리콘웨이퍼에 있는 패턴과  얼라인 되어서 실리콘 산화막이나 금속을 에치하기 전에 PR을 노출시킨다. 마스크는 이멀션, 크롬, 산화철, 실리콘 혹은 다른 물질로 만든다.
MCM
인접한 지역의 위에서 투사하여 원표면의 평면 부분만 남기는 선택적 에치로 만든 소자구조. 메자 기술은 전기적 활성 물질이 메자 지역으로 확장되는 것을 막는데 쓰인다.
MESA
인접한 지역의 위에서 투사하여 원표면의 평면 부분만 남기는 선택적 에치로 만든 소자구조. 메자 기술은 전기적 활성 물질이 메자 지역으로 확장되는 것을 막는데 쓰인다.
MICRON
길이의 단위. 1마이크론은 백만분의 일미터.
Mil
1/1000inch. 25.4m 길이의 단위.
Minority Carrier
P영역의 전자 등 반도체의 비주류 이동성 전하 운반체.
Module
기억 용량의 증가를 위해 일정용량의 기억소자를 PCB상에 조합한 제품.
Mold
Epoxy molding compound를 이용하여 Chip. Paddle. Wire. Inner lead 부분을 보호하기 위해 일정한 형태로 주위를 둘러싸는 과정. 일정한 형태를 음각한 금형(MOLD DIE)에 L/F을 장착하고 어느 정도의 점도를 가진 compound를 채워넣어 경화시키는 방법이 주류이다.
MOS
Metal Oxide Semiconductor의 약어이며 실리콘 기판 위에 산화막을 형성시키고 그 위에 실리콘 전극을 형성하여 전장에 의한 실리콘 표면의 전하를 조절할 수 있는 구조.
MOSFET
실리콘 위의 얇은 산화막 위의 금속 게이트를 가진 전계효과 트랜지스터.
Base
1. NPN 혹은 PNP 트랜지스터의 컨트롤 부분 2. NPN 트랜지스터의 베이스나 수평 PNP 트랜지스터의 에미터 및 콜렉터, 저항 등을 형성하는 보론을 쓰는 P형 확산
Phosphine(PH₃)
실리콘을 인으로 도핑할 때 원료로 쓰이는 가스.
Angstrom
길이의 단위, 1옹스트롬은 만분의 1 마이크론이다.
Bipolar Transistor
에미터, 베이스, 콜렉터로 구성되어, 에미터에 의해 베이스로 들어오는 소수반송자의 투입과 콜렉터에 의한 소수 반송자의 집속에 의해 동작하는 트랜지스터. 그 층구조를 나타내기 위해 NPN 혹은 PNP 트랜지스터라고 불리운다.
Handler
test head와 연결되어 test program의 start에 의해 chip을 socket에 삽입하고 test 결과에 의해 칩을 category(또는 bin) 별로 분류하는 자동 기계장치.