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LASER
light amplification by stimulated emission of radiation. 레이저에서 통과하는 빛이 에너지를 얻기 위해 빛이 지나가면서 여기 된 전자가 여기를 잃는다. 어떤 레이저는 극히 순수한 색, 매우 좁은 빔, 때로는 매우 높은 강도를 발생하거나 증폭한다.
Lead frame
Package에 사용되는 기본재료. 크게 paddle, inner lead, outer lead로 구성된다. 사용하는 재료는 크게 Cu와 alloy(Ni+Fe)가있으며, 제조 방법은 etching type(원판을 필요한 형태만 남기고 식각하여 제조하는 방법)과 stamping type(금형을 이용하여 원판을 필요한 형태로 pressing하여 제조하는 방법)이 있다. FAB의 Low Wafer에 해당.
Leaky
두 점에 전압이 걸렸을 때 원치 않는 전류가 흐르는 것을 말하는 데 많이 쓰이는 용어.
LED
light emitting diode. 소수 반송자가 정공과 결합하여 에너지가 빛으로 바뀌는 반도체 소자. 보통 PN접합이다.
LPCVD
저압(0.2~0.7mm Tott)의 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학 반응을 이용 박막을 증착하는 방법이다. low pressure CVD.
Semiconductor
전도는 정공과 전자에 의해 이루어지며, 전도도로는 도체와 절연체의 중간인, 실리콘이나 게르마늄 등의 원소.
Doping
반도체의 전도 형태를 바꿔 주기 위해 P형 또는 N형의 불순물을 확산이나 Ion Implantation에 의해서 주입하는 것을 말하며, 이때 주입되는 불순물을 Dopant라고 한다.
Susceptor
에피 성장이나 질화막 적층 등의 고온 공정 때 웨이퍼를 고정하는 납작한 물질(보통 흑연).
P/N Junction, P/N접합
결정내에서 주로 정공으로 전도하는 P지역과 주로 전자로 전도하는 N지역과의 접면.
Wafer Fab
웨이퍼 위 혹은 안에 회로나 소자가 만들어지는 조작.