E-Pro Link E-Sales Link

HOME > 제품소개 > 전문용어사전

| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
Kerf
Blade에 의해 Wafer가 잘리면서 생긴 자국
Kerf Loss
Wafer 절단시 Kerf로 발생하는 손실로서 톱밥의 두께에 의해 그 양이 결정된다.
Positive Resist, 양성 PR
빛을 안받은 부분은 남기고, 빛을 받은 부분은 형상에서 제거되는 PR. 마스크의 양화가 현상 공정에서 형성된다. AZ-1350이 양성 PR이다.
Boron Trichloride
실리콘 도핑에서 Boron의 원료로 쓰이는 가스.
P/N Junction, P/N접합
결정내에서 주로 정공으로 전도하는 P지역과 주로 전자로 전도하는 N지역과의 접면.
Dose
ion implantation 등 충격에 의해서 반도체의 불순물을 주입하는 것을 dose라고 하며, 그 주입량을 dose량이라고 한다.
Acceptor
밸런스 전자를 받아들여 밸런스 대에 정공을 남김으로써 반도체를 P-형으로 만드는 불순물. 정공은 양성 전화의 운반체 역할을 한다.