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Kerf
Blade에 의해 Wafer가 잘리면서 생긴 자국
Kerf Loss
Wafer 절단시 Kerf로 발생하는 손실로서 톱밥의 두께에 의해 그 양이 결정된다.
Exposure
정렬이 끝나면 mask의 상이 웨이퍼에 옮겨지도록 자외선에 노출시키는 공정을 말하며 정렬과 노광을 동시작업으로 진행함.
Over Etch
식각 종료점이나 나타난 후에도 Wafer 전면의 박막두께 균일성과 식각 균일성을 고려하여 어느 정도의 식각을 더해주는 것을 말한다. Under Etch의 반대.
DUT
device under test.
Anneal
웨이퍼의 응력을 풀어 소자에의 표면 영향이 줄도록 마지막으로 하는 고온처리.
Negative Resist
빛을 쬔 지역은 남아있고 빛이 안 쪼인 지역이 현상 공정에서 제거되는 PR. 현상 공정에 따라 마스크의 음화가 형성된다.Waycoat와 Microneg가 음성PR이다.