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Kerf
Blade에 의해 Wafer가 잘리면서 생긴 자국
Kerf Loss
Wafer 절단시 Kerf로 발생하는 손실로서 톱밥의 두께에 의해 그 양이 결정된다.
Phosphine(PH₃)
실리콘을 인으로 도핑할 때 원료로 쓰이는 가스.
PVX(Doped Silox)
화학적으로 적층된 인이 많은 실리콘 산화막.
Buried layer
에피층을 키우기 직전에 P형 기관에 N+ 확산을 하는 것. 소자전류 경로에 저저항을 제공한다. 보통의 매몰층 도펀트는 안티몬이나 비소이다.
Over Etch
식각 종료점이나 나타난 후에도 Wafer 전면의 박막두께 균일성과 식각 균일성을 고려하여 어느 정도의 식각을 더해주는 것을 말한다. Under Etch의 반대.
Bwam lead
반도체 칩 가장자리 바깥의 보통 금으로 만든 적층 금속리드. 칩의 기계적, 전기적 콘텍트를 형성하는 데 쓰인다.