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Junction
물질의 전도 형태가 N형에서 P형 형태로 혹은 그 반대로 바뀌는 접면.
Junction depth
웨이퍼 아래쪽으로의 접합 깊이.
Junction transistor
P/N접합으로 형성된 바이폴라 트랜지스터. 아는 FET나 점접촉 트랜지스터와 구분하는 데 쓰는 말이다.
Angle Lap
수직에서 어떤 각도로 잘라, 접합의 깊이를 확대하는 방법.
FVI
final visual inspection. 고객에 대한 제품의 품질보증 측면에서 실시하는 최종 외관검사.
X-ray Photoelectron Spectroscopy
XPS. X선이나 자외선에 의해 여기된 전자의 에너지 양을 측정하여 재료의 조성과 불순물의 분석, Sputtering을 통해 깊이 방향 분포 분석, 화학 결합 상태를 알 수 있다.
Photo Resist
감광성 수지를 말하며 구성 성분은 Polymer, Solvent, Sensitizer로 대표되며 현상되는 형태에 따라양성과 음성으로 나눈다. 양성인 경우는 Sensitizer에 의하여 특징 지워지며 음성인 경우는Polymer에 의해서 특징 지워진다. 미세 Pattern을 얻기 위해서는 막이 얇 고 균일하고, Pin Hole이 없고 밀착성이 좋으며 내선성이 좋고 자외선 등에 대해 감도가 좋아야 한다.
Boron Trichloride
실리콘 도핑에서 Boron의 원료로 쓰이는 가스.