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Junction
물질의 전도 형태가 N형에서 P형 형태로 혹은 그 반대로 바뀌는 접면.
Junction depth
웨이퍼 아래쪽으로의 접합 깊이.
Junction transistor
P/N접합으로 형성된 바이폴라 트랜지스터. 아는 FET나 점접촉 트랜지스터와 구분하는 데 쓰는 말이다.
Subcollector
= Buried Layer
SRAM
가스(산화나 질소)를 98 ~100℃의 물에 버블시켜 키우는 열 산화막.
PNP
보통 바이폴라 트랜지스터에 쓰이는, 두개의 P지역에 N영역이 끼어있는 반도체결정구조.
DRAM
dynamic random access memory의 약어이며 정보를 쓸 수 있는 장치이다.
Dielectric
전압이 걸렸을 때 전류를 흘리지 않는 물질. 반도체 공정에 쓰이는 두 가지 유전체는 실리콘산화막과 실리콘 질화막이다.