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IC(integrated circuit)
작은 면적에 많은 전자회로가 서로 연결되어 하나의 회로로서 기능을 갖게 한 집적 회로.
Impurity
불순물. donor와 accepter와 같이 특정한 목적으로 기판에 주입하는 물질.
Ingot
용융상태에서 고형화된 실리콘 단결정 막대.
Inking
조립공정에 대비하여 양, 불량 칩을 구분하기 위해 고온 경화성 ink를 사용하여 불량 chip에 점을 찍는 공정.
Inspection
웨이퍼의 이상 유무를 현미경이나 육안으로 검사하는 공정.
Integrated circuits(IC)
집적회로. 반도체로 된 하나의 칩에 몇 개에서 수천 개의 소자로 구성된 전기회로.
Ion
전자를 잃거나 얻어서 전하를 가진 입자가 된 원자(음,양이 있다).
Ion implantation
원하는 전기적 특성을 얻기 위해 고전압 이온 충격을 써서 반도체의 조절된 지역에 선별된 불순물을 넣는 공정.
IR
implantation resistor의 약어로서 photo에서 확산까지의 공정을 말한다.
Isolation
표준 바이폴라 회로 제조의 두번째 마스크. 격리 IR공정에서 예치된 지역의 실리콘에 보론을 확산시켜 전기적으로 분리되거나 고립된 지역을 만든다.
Isopropyl alcohol
반도체 공정에서 최종 린스나 드라이어에 쓰이는 용제.
Channel
전도를 허용하는 반도체 내의 얇은 지역. 채널은 표면이나 벌크에 형성된다. 이는 오염이나 불완전한 격리를 나타내기도 하나, mosfet나 igfet 동작에 필수적이다.
Photoresist, PR
웨이퍼에 칠해서 마스크를 통해 강도 높은 빛에 노출시키는 감광막. 노출된 PR은 어떤 지역을 에치하도록 PR패턴을 현상공정에서 남긴다.
Charge carrier
전자나 홀 등의 반도체 소자 결정에서의 전하의 운반체.
Silicon Nitride(Si₃N₄)
600℃-900℃의 온도에서 웨이퍼에 화학적으로 적층되는 보호막. 이는 소자를 오염으로부터 보호한다.
Isolation
표준 바이폴라 회로 제조의 두번째 마스크. 격리 IR공정에서 예치된 지역의 실리콘에 보론을 확산시켜 전기적으로 분리되거나 고립된 지역을 만든다.