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Fab
= wafer fab
FET(field-effect transistor)
다수 반송자가 게이트를 거쳐 소스에서 드레인으로 흐르는 소스. 게이트, 드레인으로 구성된 트랜지스터. 반송자의 흐름은 밑의 수직 전장으로 조절된다.
FI CD
final inspection CD. 식각하고 난 후의 선폭.
Filament
증착 할 재료 옆에 있으면서 전기로 가열되는 코일.
Flash memory
EEPROM(electrically erasable programable ROM)의 일종으로 칩 전체 혹은 블록 단위로 내장 데이터의 소거가 가능하고 기존의 EEPROM에 비해 싼 가격에 제조할 수 있는 불휘발성 기억소자이다.
Form outer
lead를 일정한 형태로 모양을 만들어 주는 과정.
Flip chip
PCB 위에 접적 칩을 Face Down형태로 붙이는 방법. 이 때 bonding pad상 bump를 형성하여 wire bonding까지 동시에 완료된다.
Four-point probe
웨이퍼의 쉬트저항을 재는 데 쓰는 전기장치.
2FT
device의 고온에서의 전기적 특성 및 동작 상태를 측정하여 그 불량을 제거하기위한 공정.
Furnace
확산/산화막 성장 공정을 수행할 전기로를 말한다.
FVI
final visual inspection. 고객에 대한 제품의 품질보증 측면에서 실시하는 최종 외관검사.
ZIP
Zigzag In-line Package
Develop
정렬(align) 및 노광(exposure) 후 현상액을 이용하여 필요한 곳과 필요 없는 부분을 구분하여 상을 형성하기 위해 일정 부위의 PR을 제거하는 것.
Doping
반도체의 전도 형태를 바꿔 주기 위해 P형 또는 N형의 불순물을 확산이나 Ion Implantation에 의해서 주입하는 것을 말하며, 이때 주입되는 불순물을 Dopant라고 한다.
CVD
Chemical Vapor Deposition. 원료로 가스를 공급해서 기상 또는 기판표면에서 화학반응을 통해 박막을 형성하는 방법. 반응실의 압력에 따라 APCVD(상압 화학 기상 증착), LPCVD(저압 화학 기상 증착), HPCVD(고압 화학 기상 증착)으로 나뉜다.
DIP
Dual In-line Package. 리드가 소켓에 맞도록 긴 변에서 나와서 휘어져 있는 사각형 회로 패키지.