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Fab
= wafer fab
FET(field-effect transistor)
다수 반송자가 게이트를 거쳐 소스에서 드레인으로 흐르는 소스. 게이트, 드레인으로 구성된 트랜지스터. 반송자의 흐름은 밑의 수직 전장으로 조절된다.
FI CD
final inspection CD. 식각하고 난 후의 선폭.
Filament
증착 할 재료 옆에 있으면서 전기로 가열되는 코일.
Flash memory
EEPROM(electrically erasable programable ROM)의 일종으로 칩 전체 혹은 블록 단위로 내장 데이터의 소거가 가능하고 기존의 EEPROM에 비해 싼 가격에 제조할 수 있는 불휘발성 기억소자이다.
Form outer
lead를 일정한 형태로 모양을 만들어 주는 과정.
Flip chip
PCB 위에 접적 칩을 Face Down형태로 붙이는 방법. 이 때 bonding pad상 bump를 형성하여 wire bonding까지 동시에 완료된다.
Four-point probe
웨이퍼의 쉬트저항을 재는 데 쓰는 전기장치.
2FT
device의 고온에서의 전기적 특성 및 동작 상태를 측정하여 그 불량을 제거하기위한 공정.
Furnace
확산/산화막 성장 공정을 수행할 전기로를 말한다.
FVI
final visual inspection. 고객에 대한 제품의 품질보증 측면에서 실시하는 최종 외관검사.
Ingot
용융상태에서 고형화된 실리콘 단결정 막대.
Junction transistor
P/N접합으로 형성된 바이폴라 트랜지스터. 아는 FET나 점접촉 트랜지스터와 구분하는 데 쓰는 말이다.
PVX(Doped Silox)
화학적으로 적층된 인이 많은 실리콘 산화막.
Silicon Dioxide(SiO₂)
Dicing하는 과정에서 Scribe Lane을 Brade(Dicing에 사용하는 Diamond Wheel)가 고속회전하며 잘라줄 때 발생하는 Wafer가루. 완전 제거되지 않으면 Bonding Pad에 잔존하여 Wire Bonding에 영향을 주게 된다.
B/I
BURN-IN 제품의 수명 및 신뢰성과 관련하여 일정시간 동안 고온과 고압을 인가하여 제품을 동작시켜 조기불량을 조치.