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Electron
원자의 핵 주위를 회전하는 하전입자. 다른 원자와 결합하거나 빠져나와 원자를 이온으로 만든다.
Electron-beam(E-beam)
증착 - 초점이 맞는 전자빔의 에너지로 필요한 에너지를 공급하는 증착의 일종.
Emitter
1. 반송자의 원천이나 끝이 되는 트랜지스터의 지역.
2. NPN 트랜지스터의 에미터, PNP트랜지스터의 베이스 콘택트,NPN 트랜지스터의 N+ 콘택트 및 저항을 형성하는 인을 쓴 N+ 확산.
End point
etch가 끝나는 순간.
Epi
= Epitaxial
Epitaxial
단결정 기판 위에 형성한 단결정 반도체막. 에피층은 기판과 같은 결정형태이다. 기관이나 매몰층에 적층된 N형 실리콘 층은 에피텍시 실리콘이다.
Epoxy wetness
epoxy bonding에서 접착제가 chip이면 paddle과 접촉하는 부분에 퍼져 있는 정도 면적으로 표시한다.
Etch -
화학 반응을 통해 특정한 지역의 물질을 제거하는 공정.
Etch damage
식각시 식각대상막의 아래층 막을 과도 식각하여 이상이 생기는 현상.
Evaporation
열을 써서 소스의 물질을 증착시켜 웨이퍼에 적층하는 공정. 반도체 공정에서는 E-빔이나 필라멘트 증착을 쓰는 것이 보통이다.
Exposure
정렬이 끝나면 mask의 상이 웨이퍼에 옮겨지도록 자외선에 노출시키는 공정을 말하며 정렬과 노광을 동시작업으로 진행함.
Inspection
웨이퍼의 이상 유무를 현미경이나 육안으로 검사하는 공정.
TCE
Trichloro ethylene. 웨이퍼와 일반 세척에 쓰이는 용제.
Sweeping
Wire Bonding된 상태에서 Bonding Pad와 Lead tip의 직선 거리에서 Wire가 휘어진 정도.
Majority carrier
반도체 물질에서 주가 되는 이동성 전하 운반체(전자 혹은 정공). 예를들어 N영역의 전자.
MOSFET
실리콘 위의 얇은 산화막 위의 금속 게이트를 가진 전계효과 트랜지스터.