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Electron
원자의 핵 주위를 회전하는 하전입자. 다른 원자와 결합하거나 빠져나와 원자를 이온으로 만든다.
Electron-beam(E-beam)
증착 - 초점이 맞는 전자빔의 에너지로 필요한 에너지를 공급하는 증착의 일종.
Emitter
1. 반송자의 원천이나 끝이 되는 트랜지스터의 지역.
2. NPN 트랜지스터의 에미터, PNP트랜지스터의 베이스 콘택트,NPN 트랜지스터의 N+ 콘택트 및 저항을 형성하는 인을 쓴 N+ 확산.
End point
etch가 끝나는 순간.
Epi
= Epitaxial
Epitaxial
단결정 기판 위에 형성한 단결정 반도체막. 에피층은 기판과 같은 결정형태이다. 기관이나 매몰층에 적층된 N형 실리콘 층은 에피텍시 실리콘이다.
Epoxy wetness
epoxy bonding에서 접착제가 chip이면 paddle과 접촉하는 부분에 퍼져 있는 정도 면적으로 표시한다.
Etch -
화학 반응을 통해 특정한 지역의 물질을 제거하는 공정.
Etch damage
식각시 식각대상막의 아래층 막을 과도 식각하여 이상이 생기는 현상.
Evaporation
열을 써서 소스의 물질을 증착시켜 웨이퍼에 적층하는 공정. 반도체 공정에서는 E-빔이나 필라멘트 증착을 쓰는 것이 보통이다.
Exposure
정렬이 끝나면 mask의 상이 웨이퍼에 옮겨지도록 자외선에 노출시키는 공정을 말하며 정렬과 노광을 동시작업으로 진행함.
PNP
보통 바이폴라 트랜지스터에 쓰이는, 두개의 P지역에 N영역이 끼어있는 반도체결정구조.
DUT
device under test.
Sheet Resistance
반도체의 P형 또는 N형 도펀트의 수를 말하는, Ω/cm² 단위의 수.
Contact
적층되어 있는 전도층들을 연결시켜 주기 위하여 절연물에 구멍을 뚫는 것을 말한다.
AC Characteristic
Device가 동작 시 갖고 있는 특성 중 입출력 파형의 timing과 관련한 여러 가지 특성들을 말함.