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2Dc
device(제품)의 상온에서의 전기적 특성 및 동작 상태를 측정하여 그 불량을 제거하기 위한 공정.
3Dc
마킹 공정에 의한 제품 혼입 및 정전기에 의한 제품의 손상을 측정하여 그 불량을 제거하기 위한공정
Dark Current
빛을 비추지 않은 상태에서 태양전지에 흐르는 전류.
Dc Ripple Factor
직류 입력 전압 또는 직류 입력 전류에 포함되는 교류 성분의 직류 성분에 대한 비(%)
Depletion layer
그곳에 존재하는 전장으로 인해 전하 운반체가 없어진 반도체 내의 지역.
Develop
정렬(align) 및 노광(exposure) 후 현상액을 이용하여 필요한 곳과 필요 없는 부분을 구분하여 상을 형성하기 위해 일정 부위의 PR을 제거하는 것.
Development
마스킹과 노출 스텝으로 정의되지 않은 부분의 PR을 제거하는 PR공정.
Device
소자. 가공 또는 조립이 완료된 제품을 말한다.
Diborane
실리콘 도핑에서 브론의 원료로 쓰이는 가스.
Die bonding
chip을 lead frame에 접착시키는 과정. epoxy bonding, eutectic bonding 등의 방법이 있다.
Dielectric
전압이 걸렸을 때 전류를 흘리지 않는 물질. 반도체 공정에 쓰이는 두 가지 유전체는 실리콘 산화막과 실리콘 질화막이다.
Diffuse (Solar) Irradiation
규정된 시간 동안의 산란 일조 강도를 적산한 값.
Diffuse Insolation
태양광선이 대기를 통과하는 동안에 공기 분자, 구름, 연무(Aerosol) 입자 등으로 인하여 산란되어 도달하는 햇볕.
Diffusion
반도체 제조공정 중 고온의 전기로 내에서 웨이퍼에 불순물을 확산시키는 과정으로 반도체 층의 일부분에 대한 전도형태를 변화시키기 위한 공정이며 온도 및 시간과 밀접한 연관을 갖는다. DRIVE-IN과 동일한 의미.
Diffusion Layer
Pn 접합을 형성하기 위하여 의도적으로 첨가물을 확산시켜 형성시킨 P층 또는 N층의 부분.
Dicing
웨이퍼 상의 다수의 칩을 낱개의 칩으로 분리하기 위해 분리선을 따라 잘라주는 과정.
Diode
전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 하는 두 단자 소자. 다이오드는 반도체의 P형과 N형 지역의 교점에서 생긴다.
DIP(dual in-line package)
리드가 소켓에 맞도록 긴 변에서 나와서 휘어져 있는 사각형 회로 패키지.
Direct (Solar) Irradiance
직달 일조의 조사 강도.
Direct (Solar) Irradiation
규정된 시간 동안 조사되는 직달 일조 강도를 적산한 값.
Direct BLU
LCD 뒷면에 LED 백라이트 유닛을 배치하는 방식으로 엣지방식에 비해 더 많은 LED를 사용한다. 필요에 따라 점등, 소등하여 색상 재현력을 높이기도 한다.
DIP(dual in-line package)
리드가 소켓에 맞도록 긴 변에서 나와서 휘어져 있는 사각형 회로 패키지.
DI Water(de-ionized water)
물 속에 녹아 있는 무기이온을 제거하여 세척에 사용하는 탈이온수.
Donor
전도대에 과잉 자유전자를 냄으로써 반도체를 N형으로 만드는 불순물. 자유전자는 음성전하반송체이다.
Dopants
전자나 정공을 제공함으로써 반도체의 전도 형태를 바꾸는 원소. 실리콘의 Dopant는 3족과 5족에 있는 원소이다.
Doping
반도체의 전도 형태를 바꿔 주기 위해 P형 또는 N형의 불순물을 확산이나 Ion Implantation에 의해서 주입하는 것을 말하며, 이때 주입되는 불순물을 Dopant라고 한다.
Dose
ion implantation 등 충격에 의해서 반도체의 불순물을 주입하는 것을 dose라고 하며, 그 주입량을 dose량이라고 한다.
Drain
소스, 게이트와 함께 유니폴라트랜지스터나 전계 효과 트랜지스터(FET)를 구성하는 한 지역.
DRAM
dynamic random access memory의 약어이며 정보를 쓸 수 있는 장치이다.
Drive-in
주입된 ion 등을 필요한 만큼 확산시키는 공정.diffusion과 동일한 의미.
Dry Oxide
산소를 써서 키운 실리콘 열 산화막.
DUT
device under test.
Hydrofluoric acid
실리콘 산화막을 에치하는 강산. 쓰기 전에 희석하거나 버퍼(buffer)한다.
APCVD
상압의 반응 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학 반응을 이용, 박막을 증착하는 방법이다.
Majority carrier
반도체 물질에서 주가 되는 이동성 전하 운반체(전자 혹은 정공). 예를들어 N영역의 전자.
Trim
Outer Lead와 Lead 사이를 연결하고 있는 Dam Bar(Outer Lead의 지지 및 Mold시 Die Clamp 부분으로 사용)를 잘라주는 과정. Dejunk(junk를 제거. Junk는 Body외곽과 Dam Bar, Outer Lead 에 둘러싸인 Resin)도 이때 실시한다.
Bonding Pad
소자나 회로를 외부로 연결할 때 쓰이는 금속의 사각형.