HOME > Á¦Ç°¼Ò°³ > Àü¹®¿ë¾î»çÀü


Back grinding
¿þÀÌÆÛ µÞ¸éÀÇ ºÒÇÊ¿äÇÑ ¸·À» Á¦°ÅÇϰí ÇÊ¿äÀÌ»óÀ¸·Î µÎ²¨¿î µÞ¸éÀ» ±ï¾Æ³»¾î ÀúÇ×À» ÁÙÀÌ°í ¿ÀüµµÀ²À» Çâ»ó½ÃŰ´Â °øÁ¤.
|
Back Surface Field (Bsf) Effect
žçÀüÁö ±âÆÇ µÞ¸é Àü±Ø ºÎ±ÙÀÇ Ã·°¡¹° ³óµµ°¡ ³ôÀº ¿µ¿ª¿¡ ±âÀÎÇÏ´Â ³»ºÎ Àü±âÀå(Internal Field)ÀÌ Çü¼ºµÇ±â ¶§¹®¿¡ µÞ¸é °¡±îÀÌ¿¡¼ »ý¼ºµÈ ¿î¹ÝÀÚ°¡ È¿°úÀûÀ¸·Î ¼öÁýµÇ´Â È¿°ú.
|
Bake
°¨±¤Á¦ µµÆ÷ ÈÄ ¿¿¡ ±Á´Â °ÍÀ¸·Î etch³ª develop½Ã °¨±¤Á¦ÀÇ Á¢Âø·ÂÀ» Áõ°¡½Ã۱â À§ÇÔÀε¥ hard bake¿Í soft bake°¡ ÀÖ´Ù.
|
Balance Of System (Bos)
½Ã½ºÅÛ ±¸¼º ±â±â Áß¿¡¼ ž籤¹ßÀü ¸ðµâÀ» Á¦¿ÜÇÑ, °¡´ë, °³Æó±â, ÃàÀüÁö, Ãâ·Â Á¶Àý±â, °èÃø±â µîÀ» ÁÖº¯ ±â±â¸¦ ÅëÆ²¾î ºÎ¸£´Â ¸».
|
ballast
Àü¿ø°ú ¹æÀü ·¥ÇÁ »çÀÌ¿¡ Á¢¼ÓÇÏ¿© ÁÖ·Î ·¥ÇÁ Àü·ù¸¦ ±ÔÁ¤Ä¡·Î Á¦ÇÑÇÏ´Â ÀÛ¿ëÀ» ÇÏ´Â ÀåÄ¡·Î¼ Àü¿ø Àü¾ÐÀÇ ½Â¾Ð ¹× ¿ª·ü°³¼± µîÀÇ ¼ö´ÜÀ» Æ÷ÇÔÇÏ´Â °Íµµ ÀÖÀ½.
|
Base
1. NPN ȤÀº PNP Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ÄÁÆ®·Ñ ºÎºÐ
2. NPN Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ º£À̽º³ª ¼öÆò PNP Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ¿¡¹ÌÅÍ ¹× ÄÝ·ºÅÍ, ÀúÇ× µîÀ» Çü¼ºÇÏ´Â º¸·ÐÀ» ¾²´Â PÇü È®»ê |
Blocking Device
¸ðµâ, ÆÐ³Î, ¼Ò¾î·¹ÀÌ ¶Ç´Â ¾î·¹ÀÌ¿¡ ´ëÇÑ Àü·ùÀÇ ¿ª·ù ¹æÁö¸¦ ¸ñÀûÀ¸·Î ¾î·¹ÀÌÀÇ ³¡¿¡Á÷·Ä·Î »ðÀÔÇÑ ¼ÒÀÚ.
|
BLU (Back Light Unit)
LCD´Â BLU¿Í ¾×Á¤ ÆÐ³Î·Î ³ª´ ¼ö ÀÖ´Ù, LCD Ư¼º»ó ÀÚü ¹ß±¤ÀÌ ºÒ°¡´ÉÇϱ⠶§¹®¿¡ µÚ¿¡¼ ºñÃÄÁÖ´Â ±¤¿øÀÌ ÇÊ¿äÇÏ°Ô µÈ´Ù. ÀÌ ±¤¿øÀ» BLU¶ó°í ÇÑ´Ù.
|
blue laser diode
¹ßÁø ÆÄÀåÀÌ 500 nm ÀüÈÄÀÇ ³ìû»ö ·¹ÀÌÀú ´ÙÀÌ¿Àµå´Â ¼¿·»È ¾Æ¿¬°è¿¡¼ ¸¹Àº ¿¬±¸°¡ ½Ç½ÃµÇ¾î »ó¿Â ¿¬¼Ó¹ßÁø¿¡ ¼º°øÇÏ¿´À½. ÃÖ±Ù¿¡´Â ÁúÈ °¥·ý°è¸¦ ÀÌ¿ëÇÑ Ã»»ö ·¹ÀÌÀú ´ÙÀÌ¿Àµå°¡ ÁÖ¸ñ¹Þ°í Àִµ¥, ¹ßÁøÆÄÀå 410nmÀÎ »ó¿Â ¿¬¼Ó ¹ßÁøÀÌ °¡´ÉÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ·¹ÀÌÀú°¡ °³¹ßµÇ¾úÀ½. ±×¸² oh-1Àº ÁúÈ °¥·ý°è ûÀÚ»ö ·¹ÀÌÀú ´ÙÀÌ¿ÀµåÀÇ ±¸Á¶·Î¼, Ȱ¼ºÃþ ºÎºÐ¿¡ ´ÙÁß ¾çÀÚ ¿ì¹°(MQW: Multi-Quantum-Well) ±¸Á¶°¡ Çü¼ºµÇ¾î ÀÖÀ½. Â÷¼¼´ë ¿µ»ó ¹× Á¤º¸±â·Ï ¸ÅüÀÎ CD-ROM, ±¤ÀÚ±âµð½ºÅ© µî¿¡ ÀÖ¾î¼ ¸é±â·Ï ¹Ðµµ¸¦ Çâ»ó½Ãų ¼ö ÀÖ´Â ¼ö´ÜÀ¸·Î ÆÄÀåÀÌ ÂªÀº û»ö ¹ÝµµÃ¼ ·¹ÀÌÀú°¡ ¿ä±¸µÇ°í ÀÖÀ½. ÁÖ¿ä ÀÀ¿ëºÐ¾ß´Â Çü±¤ ¹× ºÐ±¤ ÃøÁ¤, µð½ºÇ÷¹ÀÌ, ÀÇ·á±â±â, °íºÐÇØ´É ÇÁ¸°ÅÍ µî¿¡ Ȱ¿ëÀÌ ±â´ëµÊ
|
Blue LED
û»ö ¹ß±¤Àç·áÀÎ GaN ¸·ÀÇ °áÁ¤ ¼ºÀå¹ý(Two-Flow MOCVD)ÀÇ °³¹ß, ¹öÆÛÃþÀ» Çü¼ºÇÏ´Â °Í¿¡ ÀÇÇØ »çÆÄÀÌ¾î ±âÆÇ°úÀÇ °ÝÀÚ ºÎÁ¤ÇÕ ¹®Á¦°¡ ÇØ°áµÇ¾î GaN °è LED°¡ Á¦Ç°È µÇ¾úÀ½. ±×¸®°í Ȱ¼ºÃþ¿¡ In È¥Á¤ºñ¸¦ ¹Ù²Ù´Â °Í¿¡ ÀÇÇØ û»ö¿¡¼ ³ì»ö¿µ¿ª±îÁöÀÇ ¹ß±¤»öÀ» °®´Â InGaN °è LED°¡ Ãâ½ÃµÇ¾úÀ½. ÀÌ·¯ÇÑ GaN °è LED´Â ¿ÜºÎ¿¡¼ ¿¡³ÊÁö¸¦ °¡ÇÒ ¶§ û»ö(470nm Á¤µµ)ÀÇ ºûÀ» ¹æÃâÇÏ´Â ´ÙÀÌ¿Àµå·Î¼, ÁÖ·Î ´ëÇü õ¿¬»ö Àü±¤ÆÇ, ±³Åë ½ÅÈ£, ÀÚµ¿Â÷ °è±âÆÇ, °¡Àü Á¦Ç°, °íÃþ ºôµùÀÇ °æ°í ¹× À¯µµµî°ú °°Àº ´Ù¾çÇÑ ºÐ¾ß¿¡¼ ÀÌ¿ëÀÌ ±â´ëµÇ°í ÀÖÀ½.
|
Building Integrated Photovoltaic (Bipv) Module
ÁöºØÀç, º®Àç µîÀÇ °ÇÃà¿ë ºÎÀç¿¡ ÁýÀûÇÏ¿© ÀÏüÈÇÑ Å¾籤¹ßÀü ¸ðµâ.
|
Bypass Device
ºÎºÐÀûÀÎ ±×´ÃÁüÀ̳ª ¸ðµâ ³»ºÎÀÇ °áÇÔÀ¸·Î ÀÎÇÏ¿© ¾î·¹ÀÌÀÇ Ãâ·ÂÀÌ ¶³¾îÁö°Å³ª ¸ðµâ¿¡¼ ¿ÀÌ ¹ß»ýÇÏ¿© Ÿ¹ö¸®´Â Çö»óÀÌ ³ªÅ¸³ª´Â °ÍÀ» ¹æÁöÇϱâ À§ÇÏ¿© Çϳª ¶Ç´Â ¿©·¯ °³ÀÇ ¸ðµâ¿¡ ´ëÇÏ¿© º´·Ä·Î Á¢¼ÓÇØ¼ Ãø·Î¸¦ ÀÌ·ç¾î ¹®Á¦°¡ »ý±ä ¸ðµâÀ» ¿ìȸÇÏ¿© Àü·ù°¡ È帣µµ·Ï ÇÏ´Â ¼ÒÀÚ.
|
Bwam lead
¹ÝµµÃ¼ Ĩ °¡ÀåÀÚ¸® ¹Ù±ùÀÇ º¸Åë ±ÝÀ¸·Î ¸¸µç ÀûÃþ ±Ý¼Ó¸®µå. ĨÀÇ¡¡±â°èÀû, Àü±âÀû ÄÜÅØÆ®¸¦ Çü¼ºÇÏ´Â µ¥ ¾²ÀδÙ.
|
Bipolar Transistor
¿¡¹ÌÅÍ, º£À̽º, ÄÝ·ºÅÍ·Î ±¸¼ºµÇ¾î, ¿¡¹ÌÅÍ¿¡ ÀÇÇØ º£À̽º·Î µé¾î¿À´Â ¼Ò¼ö¹Ý¼ÛÀÚÀÇ ÅõÀÔ°ú ÄÝ·ºÅÍ¿¡ ÀÇÇÑ ¼Ò¼ö ¹Ý¼ÛÀÚÀÇ Áý¼Ó¿¡ ÀÇÇØ µ¿ÀÛÇÏ´Â Æ®·£Áö½ºÅÍ. ±× Ãþ±¸Á¶¸¦ ³ªÅ¸³»±â À§ÇØ NPN ȤÀº PNP Æ®·£Áö½ºÅͶó°í ºÒ¸®¿î´Ù.
|
Blade
dicing¿¡¼ »ç¿ëÇÏ´Â µµ±¸·Î Ni ¿øÆÇ¿¡ diamond grit°¡ ¹ÚÇôÀÖ´Ù. scribe laneÀÇ Æø¿¡ µû¶ó bladeÀÇ ±½±â°¡ ´Þ¶óÁø´Ù.(= diamond wheel)
|
Bias
½Ä°¢½Ã PR ÆÐÅÏÀÇ ÀÓ°èÄ¡¼ö °ª°ú ½Ä°¢ ÈÄÀÇ ÀÓ°èÄ¡¼ö °ª °£ÀÇ Â÷ÀÌ.
|
Boat
1. °í¿Â °øÁ¤¿¡¼ ¿þÀÌÆÛ¸¦ ÁöÁöÇÏ´Â ±¸Á¶·Î Çü¼ºµÈ ¼öÁ¤Á¶°¢.
2. ½À½Ä °øÁ¤¿¡¼ ¿þÀÌÆÛ¸¦ ºÙÀâ´Âµ¥ ¾²ÀÌ´Â Å×ÇÁ·Ð ȤÀº ÇÃ¶ó½ºÆ½ ±¸Á¶¹°. |
Boat Puller
ÀÏÁ¤ÇÑ ¼Óµµ·Î º¸Æ®¸¦ ¿þÀÌÆÛ¿Í ÇÔ²² ·Î¿¡ ³Ö°Å³ª »©´Â ±â°èÀåÄ¡.
|
Bonding Pad
¼ÒÀÚ³ª ȸ·Î¸¦ ¿ÜºÎ·Î ¿¬°áÇÒ ¶§ ¾²ÀÌ´Â ±Ý¼ÓÀÇ »ç°¢Çü.
|
Boron(B)
º¸ÅëÀÇ ¹ÙÀÌÆú¶ó ÁýÀûȸ·Î °øÁ¤¿¡¼ °Ý¸®³ª º£À̽ºÈ®»ê¿¡ ÁÖ·Î ¾²´Â P-Çü Dopant.
|
Boron Trichloride
½Ç¸®ÄÜ µµÇο¡¼ BoronÀÇ ¿ø·á·Î ¾²ÀÌ´Â °¡½º.
|
Buffer
½ÇÁ¦·Î ¹ÝÀÀÇÏ´Â ÀÌ¿ÂÀÇ ¼ö¸¦ À¯Áö½ÃÄÑ »êÀ̳ª ¿ëÁ¦ÀÇ ÈÇРȰµ¿ÀÇ ±Þ°ÝÇÑ¡¡º¯È¸¦ ¸·´Â ÷°¡¹°.
|
Buried layer
¿¡ÇÇÃþÀ» Ű¿ì±â Á÷Àü¿¡ PÇü ±â°ü¿¡ N+ È®»êÀ» ÇÏ´Â °Í. ¼ÒÀÚÀü·ù °æ·Î¿¡¡¡ÀúÀúÇ×À» Á¦°øÇÑ´Ù. º¸ÅëÀÇ ¸Å¸ôÃþ µµÆÝÆ®´Â ¾ÈƼ¸óÀ̳ª ºñ¼ÒÀÌ´Ù.
|
B/I
BURN-IN Á¦Ç°ÀÇ ¼ö¸í ¹× ½Å·Ú¼º°ú °ü·ÃÇÏ¿© ÀÏÁ¤½Ã°£ µ¿¾È °í¿Â°ú °í¾ÐÀ» Àΰ¡ÇÏ¿© Á¦Ç°À» µ¿ÀÛ½ÃÄÑ Á¶±âºÒ·®À» Á¶Ä¡.
|

PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier

N-Type
´Ù¼ö ¹Ý¼ÛÀÚ°¡ ÀüÀÚ ÀÌ¾î¼ À½¼ºÀÎ ¹ÝµµÃ¼ ¹°Áú. ½Ç¸®ÄÜÀÇ NÇü µµÆÝÆ®´Â VÁ· ¿ø¼ÒÀÌ´Ù. ÀÌ´Â ´Ù¼¸¹øÂ° ¿Ü°û ÀüÀÚ°¡ Àü·ù¸¦ È기´Ù.

Arsenic/As
¸Å¸ôÃþ Çü¼ºÀÇ µðÆ÷Áö¼Ç¿¡ ¾²ÀÌ´Â NÇü Dopant.

Buried layer
¿¡ÇÇÃþÀ» Ű¿ì±â Á÷Àü¿¡ PÇü ±â°ü¿¡ N+ È®»êÀ» ÇÏ´Â °Í. ¼ÒÀÚÀü·ù °æ·Î¿¡¡¡ÀúÀúÇ×À» Á¦°øÇÑ´Ù. º¸ÅëÀÇ ¸Å¸ôÃþ µµÆÝÆ®´Â ¾ÈƼ¸óÀ̳ª ºñ¼ÒÀÌ´Ù.

Etch damage
½Ä°¢½Ã ½Ä°¢´ë»ó¸·ÀÇ ¾Æ·¡Ãþ ¸·À» °úµµ ½Ä°¢ÇÏ¿© ÀÌ»óÀÌ »ý±â´Â Çö»ó.