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Back grinding
웨이퍼 뒷면의 불필요한 막을 제거하고 필요이상으로 두꺼운 뒷면을 깍아내어 저항을 줄이고 열전도율을 향상시키는 공정.
Back Surface Field (Bsf) Effect
태양전지 기판 뒷면 전극 부근의 첨가물 농도가 높은 영역에 기인하는 내부 전기장(Internal Field)이 형성되기 때문에 뒷면 가까이에서 생성된 운반자가 효과적으로 수집되는 효과.
Bake
감광제 도포 후 열에 굽는 것으로 etch나 develop시 감광제의 접착력을 증가시키기 위함인데 hard bake와 soft bake가 있다.
Balance Of System (Bos)
시스템 구성 기기 중에서 태양광발전 모듈을 제외한, 가대, 개폐기, 축전지, 출력 조절기, 계측기 등을 주변 기기를 통틀어 부르는 말.
ballast
전원과 방전 램프 사이에 접속하여 주로  램프 전류를 규정치로 제한하는 작용을 하는 장치로서 전원 전압의 승압 및 역률개선 등의 수단을 포함하는 것도 있음.
Base
1. NPN 혹은 PNP 트랜지스터의 컨트롤 부분
2. NPN 트랜지스터의 베이스나 수평 PNP 트랜지스터의 에미터 및 콜렉터, 저항 등을 형성하는 보론을 쓰는 P형 확산
Blocking Device
모듈, 패널, 소어레이 또는 어레이에 대한 전류의 역류 방지를 목적으로 어레이의 끝에직렬로 삽입한 소자.
BLU (Back Light Unit)
LCD는 BLU와 액정 패널로 나눌 수 있다, LCD 특성상 자체 발광이 불가능하기 때문에 뒤에서 비쳐주는 광원이 필요하게 된다. 이 광원을 BLU라고 한다.
blue laser diode
발진 파장이 500 nm 전후의 녹청색 레이저 다이오드는 셀렌화 아연계에서 많은 연구가 실시되어 상온 연속발진에 성공하였음. 최근에는 질화 갈륨계를 이용한 청색 레이저 다이오드가 주목받고 있는데, 발진파장 410nm인 상온 연속 발진이 가능한 반도체 레이저가  개발되었음. 그림 oh-1은 질화 갈륨계 청자색 레이저 다이오드의 구조로서, 활성층 부분에 다중 양자 우물(MQW: Multi-Quantum-Well) 구조가 형성되어 있음. 차세대 영상 및 정보기록 매체인 CD-ROM, 광자기디스크 등에 있어서 면기록 밀도를 향상시킬 수 있는 수단으로 파장이 짧은 청색 반도체 레이저가 요구되고 있음. 주요 응용분야는 형광 및 분광 측정, 디스플레이, 의료기기, 고분해능 프린터 등에 활용이 기대됨
Blue LED
청색 발광재료인 GaN 막의 결정 성장법(Two-Flow MOCVD)의 개발, 버퍼층을 형성하는 것에 의해 사파이어 기판과의 격자 부정합 문제가 해결되어 GaN 계 LED가 제품화 되었음. 그리고 활성층에 In 혼정비를 바꾸는 것에 의해 청색에서 녹색영역까지의 발광색을 갖는 InGaN 계 LED가 출시되었음. 이러한 GaN 계 LED는 외부에서 에너지를 가할 때 청색(470nm 정도)의 빛을 방출하는 다이오드로서, 주로 대형 천연색 전광판, 교통 신호, 자동차 계기판, 가전 제품, 고층 빌딩의 경고 및 유도등과 같은 다양한 분야에서 이용이 기대되고 있음.
Building Integrated Photovoltaic (Bipv) Module
지붕재, 벽재 등의 건축용 부재에 집적하여 일체화한 태양광발전 모듈.
Bypass Device
부분적인 그늘짐이나 모듈 내부의 결함으로 인하여 어레이의 출력이 떨어지거나 모듈에서 열이 발생하여 타버리는 현상이 나타나는 것을 방지하기 위하여 하나 또는 여러 개의 모듈에 대하여 병렬로 접속해서 측로를 이루어 문제가 생긴 모듈을 우회하여 전류가 흐르도록 하는 소자.
Bwam lead
반도체 칩 가장자리 바깥의 보통 금으로 만든 적층 금속리드. 칩의 기계적, 전기적 콘텍트를 형성하는 데 쓰인다.
Bipolar Transistor
에미터, 베이스, 콜렉터로 구성되어, 에미터에 의해 베이스로 들어오는 소수반송자의 투입과 콜렉터에 의한 소수 반송자의 집속에 의해 동작하는 트랜지스터. 그 층구조를 나타내기 위해 NPN 혹은 PNP 트랜지스터라고 불리운다.
Blade
dicing에서 사용하는 도구로 Ni 원판에 diamond grit가 박혀있다. scribe lane의 폭에 따라 blade의 굵기가 달라진다.(= diamond wheel)
Bias
식각시 PR 패턴의 임계치수 값과 식각 후의 임계치수 값 간의 차이.
Boat
1. 고온 공정에서 웨이퍼를 지지하는 구조로 형성된 수정조각.
2. 습식 공정에서 웨이퍼를 붙잡는데 쓰이는 테프론 혹은 플라스틱 구조물.
Boat Puller
일정한 속도로 보트를 웨이퍼와 함께 로에 넣거나 빼는 기계장치.
Bonding Pad
소자나 회로를 외부로 연결할 때 쓰이는 금속의 사각형.
Boron(B)
보통의 바이폴라 집적회로 공정에서 격리나 베이스확산에 주로 쓰는 P-형 Dopant.
Boron Trichloride
실리콘 도핑에서 Boron의 원료로 쓰이는 가스.
Buffer
실제로 반응하는 이온의 수를 유지시켜 산이나 용제의 화학 활동의 급격한 변화를 막는 첨가물.
Buried layer
에피층을 키우기 직전에 P형 기관에 N+ 확산을 하는 것. 소자전류 경로에 저저항을 제공한다. 보통의 매몰층 도펀트는 안티몬이나 비소이다.
B/I
BURN-IN 제품의 수명 및 신뢰성과 관련하여 일정시간 동안 고온과 고압을 인가하여 제품을 동작시켜 조기불량을 조치.
3Dc
마킹 공정에 의한 제품 혼입 및 정전기에 의한 제품의 손상을 측정하여 그 불량을 제거하기 위한 공정.
Ion
전자를 잃거나 얻어서 전하를 가진 입자가 된 원자(음,양이 있다).
Surface State
결정의 불완전이나 오염으로 반도체 표면에 생겨서 시간에 따라 나쁘게 변하는 과잉도너, 액셉터 및 트랩.
Device
소자. 가공 또는 조립이 완료된 제품을 말한다.
Impurity
불순물. donor와 accepter와 같이 특정한 목적으로 기판에 주입하는 물질.