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Abrasive
성형완료된 PKG나 리드프레임에 잔존하는 수지 피막을 제거하기 위한 연마제.
Accel Mode
이온 주입시 가속에너지를 가해준 상태에서 주입하는 형태.
Acceptor
밸런스 전자를 받아들여 밸런스 대에 정공을 남김으로써 반도체를 P-형으로 만드는 불순물.정공은 양성 전화의 운반체 역할을 한다.
AC Characteristic
Device가 동작 시 갖고 있는 특성 중 입출력 파형의 timing과 관련한 여러 가지 특성들을 말함.
Access
메모리 device에 data를 저장하거나, 저장된 data를 읽어내기 위하여 device의 외부에서 미리 약속된 방식으로 signal을 가하여 메모리의 특정 번지를 찾아가는 행위.
ACI(After Cleaning Inspection)
식각공정 중 건식, 습식 및 감광액 제거후 현미경 및 측정장치 등을 이용해 식각의 정확성,이물질의 잔존, CD등을 검사하는 작업
Albedo
어떤 표면에서 입사광의 강도에 대한 반사광 강도의 비이며, 전 파장 성분에 대한 평균값으로 표시한다. 태양광발전에서는 지표면의 반사율을 의미한다.
Ac Output Power Factor
교류 출력의 유효 전력과 무효 전력의 비율.
Align
스테퍼 등에서 전마스크 패턴과 현 마스크 패턴을 정확하게 중첩하는 것.
Alloy
반도체 공정에서 얼로이 스텝은 반도체와 그 상층 물질을 서로 확장시켜 그 사이에 저항성콘택트를 형성한다.
Aluminum / Al
반도체 소자에서 칩의 각 소자를 연결하는데 가장 많이 쓰이는 금속. 보통 증착으로 적층된다.
Aluminum Oxide
알루미늄과 산소의 화합물로 알루미나라고도 한다. 천연에서 코런덤·루비·사파이어등으로 존재하고 α-산화알루미늄, β-산화알루미늄등이 있다. 공업적으로는 알루미나라고도 한다.
Amorphous
원자 배열에 넓은 범위에 걸치는 질서가 존재하지 않는 고체의 준안정 상태.
Angle Lap
수직에서 어떤 각도로 잘라, 접합의 깊이를 확대하는 방법.
Angstrom
길이의 단위, 1옹스트롬은 만분의 1 마이크론이다.
Anneal
웨이퍼의 응력을 풀어 소자에의 표면 영향이 줄도록 마지막으로 하는 고온처리.
Antimony
반도체에서 N형 Dopant인 5족 원소. 버리드(BURIED)층의 Dopant로도 쓰인다.
Antireflection Coating (Arc)
태양전지 표면에서 빛의 반사 손실을 줄이기 위해 형성시킨 막.
APCVD
상압의 반응 용기 내에 단순한 열 에너지에 의한 화학 반응을 이용, 박막을 증착하는 방법이다.
Array Basic Circuit
하나 또는 여러 개의 모듈 열 또는 단위 병렬 회로를 병렬 또는 직렬로 접속한 회로. 태양광발전 어레이 전기 회로의 기본을 이룬다.
Array Collection Circuit
모듈 열 또는 단위 병렬 회로의 출력을 모아 소어레이의 출력으로 합치거나, 또는 소어레이의 출력을 모아 어레이의 출력으로 합치기 위한 회로.
Arsenic/As
매몰층 형성의 디포지션에 쓰이는 N형 Dopant.
Wafer Etch
반도체 제조공정에 있어 Wafer의 어떠한 표면층을 식각하고자 할 때 화공 약품(액체, 기체)를 이용하여 식각하는 방법.
Cum. yield
Fab In에서 제품 출하까지 4그룹(Fab, Probe, Package, Test) Yield를 합산한 수율.
AC Characteristic
Device가 동작 시 갖고 있는 특성 중 입출력 파형의 timing과 관련한 여러 가지 특성들을 말함.
Scribe Lane
Chip과 Chip 사이에 형성된 일정한 간격의 분리를 위한 Lane.
Junction transistor
P/N접합으로 형성된 바이폴라 트랜지스터. 아는 FET나 점접촉 트랜지스터와 구분하는 데 쓰는 말이다.