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LG실트론의 기술연구소는 인류의 삶에 풍요로움을 더하고자 전자정보,에너지,환경 산업 분야에서 혁신적인 소재를 개발하고 있습니다.

No. 카테고리 제목 게시일 다운로드
16 Tech. letter EPI 공정 전후 웨이퍼 표면 구조 변화 이해 2018-04-13
15 Tech. letter 실리콘 기판 내 Gettered Metal의 Depth Profile 분석 사례 및 거동 해석 2017-04-26
14 Tech. letter Carbon-related defect의 전기적 특성 2016-12-08
13 Tech. letter P-counter 구동 원리와 Algorithm 이해 2016-07-13
12 Tech. letter Slurry 물성에 따른 Bulk 내 금속오염 수준 연구 2016-04-28
11 Tech. letter Zeta potential에 대한 이해와 RCA 세정 Mechanism과의 관계 연구 2016-04-28
10 R&D논문 Defect Formation of Nickel-Incorporated Large-Diameter Czochralski-Grown Silicon and Their Effect on Gate Oxide Reliability 2016-03-18
9 Tech. letter 다양한 Chemical 내에서의 Cu오염 거동 및 Cu pit 발생 Mechanism (Si wafer) 2015-11-04
8 Tech. letter In-plane orientation에 의한 stress-induced dislocation 거동 2015-04-21
7 Tech. letter MOS Capacitor의 Generation Lifetime 측정을 위한 Current-Capacitance (I-t/C-t) Method 소개 2014-07-14
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